-
MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M450 1TB PCIe 4.0 NVMe M.2 2280 (3400/2500 MB/s) 3D NAND V1
![MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M450 1TB PCIe 4.0 NVMe M.2 2280 (3400/2500 MB/s) 3D NAND V1 MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M450 1TB PCIe 4.0 NVMe M.2 2280 (3400/2500 MB/s) 3D NAND V1](/images/enerson/0-1000/no_image_%5B0%5D_480.jpg)
![MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M450 1TB PCIe 4.0 NVMe M.2 2280 (3400/2500 MB/s) 3D NAND V1 MSI Dysk SSD MSI SPATIUM M450 1TB PCIe 4.0 NVMe M.2 2280 (3400/2500 MB/s) 3D NAND V1](/images/enerson/0-1000/no_image_%5B0%5D_480.jpg)
Symbol:
S78-440L0M0-P83
271.00
Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
Dostępność |
Duża dostępność
|
Zamówienie telefoniczne: 517694788
Zostaw telefon |
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe 1.4
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 3600 MB/s
Prędkość zapisu (max): 3000 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 420000 IOPS
Zapis losowy: 550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Wymiary: 22 x 80 x 2,15 mm, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta: 60
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe 1.4
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 3600 MB/s
Prędkość zapisu (max): 3000 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 420000 IOPS
Zapis losowy: 550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Wymiary: 22 x 80 x 2,15 mm, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta: 60
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe 1.4
Pojemność dysku:
1 TB
Gwarancja producenta:
60
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max):
3600 MB/s
Prędkość zapisu (max):
3000 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
420000 IOPS
Zapis losowy:
550000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
Dane producenta
Micro-Star Int'L Co., Ltd.
NO.69,LIDE ST.,ZHONEGHE DIST.
235 NEW TAIPEI CITY
Taiwan
886930361931
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Producenci