-
HIKSEMI Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D NAND
![HIKSEMI Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D NAND HIKSEMI Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D NAND](/images/enerson/370000-371000/HIKSEMI-Dysk-SSD-HIKSEMI-WAVE-S-512GB-SATA3-2-5-530450-MBs-3D-NAND_%5B370405%5D_480.jpg)
![HIKSEMI Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D NAND HIKSEMI Dysk SSD HIKSEMI WAVE (S) 512GB SATA3 2,5" (530/450 MB/s) 3D NAND](/images/enerson/370000-371000/HIKSEMI-Dysk-SSD-HIKSEMI-WAVE-S-512GB-SATA3-2-5-530450-MBs-3D-NAND_%5B370405%5D_480.jpg)
Symbol:
HS-SSD-WAVE(S)(STD)/512G/SATA/WW
Wpisz swój e-mail |
Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
Dostępność |
Brak towaru
|
Zostaw telefon |
Pojemność dysku: 512 GB
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Prędkość odczytu (max): 530 MB/s
Prędkość zapisu (max): 450 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 170.0
Odczyt losowy: 63000 IOPS
Zapis losowy: 69000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarno-zielony (Black-green)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 1.9 W, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F), Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - +185°F)
Gwarancja producenta: 36
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA III (6 Gb/s)
Prędkość odczytu (max): 530 MB/s
Prędkość zapisu (max): 450 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 170.0
Odczyt losowy: 63000 IOPS
Zapis losowy: 69000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarno-zielony (Black-green)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 1.9 W, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F), Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - +185°F)
Gwarancja producenta: 36
Interfejs:
SATA III (6 Gb/s)
Pojemność dysku:
512 GB
Gwarancja producenta:
36
Format dysku:
2,5 cala
Typ dysku:
SSD
Kolor obudowy:
Czarno-zielony (Black-green)
Prędkość odczytu (max):
530 MB/s
Prędkość zapisu (max):
450 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
170.0
Odczyt losowy:
63000 IOPS
Zapis losowy:
69000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
Dane producenta
Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd
Building 2, 399 Danfeng Road, Binjiang District
310000 Hangzhou
China
salessupport@hiksemitech.com
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Producenci